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NVD5C684NLT4G分立半导体晶体管-技术资料

技术参数品牌:ON安森美型号:NVD5C684NLT4G封装:DPAK批号:21+数量:10000制造商:ON Semiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:38 ARds On-漏源导通电阻:13.7 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1.2 VQg-栅极电荷:9.6 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 175 CPd-功率耗散:27 W通道模式:Enhancement资格:AEC-Q101配置:Single系列:NVD5C684NL晶体管类型:1 N-Channel正向跨导 - 最小值:30 S下降时间:40 ns上升时间:43 ns典型关闭延迟时间:25 ns典型接通延迟时间:8 ns单位重量:340 mg...

NVD5C684NLT4G.png

技术参数

品牌:ON安森美
型号:NVD5C684NLT4G
封装:DPAK
批号:21+
数量:10000
制造商:ON Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-252-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:38 A
Rds On-漏源导通电阻:13.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V
Qg-栅极电荷:9.6 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:27 W
通道模式:Enhancement
资格:AEC-Q101
配置:Single
系列:NVD5C684NL
晶体管类型:1 N-Channel
正向跨导 - 最小值:30 S
下降时间:40 ns
上升时间:43 ns
典型关闭延迟时间:25 ns
典型接通延迟时间:8 ns
单位重量:340 mg

特征

•低RDS(开启),最大限度地减少传导损耗

•低QG和电容,最大限度地减少驱动器损耗

•AEC−Q101合格且具备PPAP能力

•这些设备不含Pb−、无卤素/BFR,并且符合RoHS顺从的

1.整个应用环境影响所示的热阻值,它们不是常数,并且仅对所述的特定条件有效。

2.表面安装在FR4板上,使用650平方毫米、2盎司的铜垫。

3.长达1秒的脉冲的最大电流更高,但取决于脉冲持续时间和占空比。

400-900-8098
工作时间:09:00 - 17:00
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