技术参数
| 品牌： | VISHAY/威世 |
| 型号： | SI4559ADY-T1-E3 |
| 封装： | SOP-8 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 10000 |
| 制造商： | Vishay |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SO-8 |
| 通道数量： | 2 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel, P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 60 V |
| Id-连续漏极电流： | 5.3 A, 3.9 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 58 mOhms, 120 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1 V |
| Qg-栅极电荷： | 20 nC, 22 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 3.1 W, 3.4 W |
| 配置： | Dual |
| 通道模式： | Enhancement |
| 商标名： | TrenchFET |
| 系列： | SI4 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| 商标： | Vishay Semiconductors |
| 正向跨导 - 最小值： | 15 S, 8.5 S |
| 下降时间： | 10 ns, 30 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 65 ns, 70 ns |
| 工厂包装数量： | 2500 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 15 ns, 40 ns |
| 典型接通延迟时间： | 15 ns, 30 ns |
| 零件号别名： | SI4559ADY-E3 |
| 单位重量： | 506.600 mg |
笔记
a.基于TC=25°C
b.表面安装在1“x 1”FR4板上
c.t=10秒
d.对于N通道和P通道，稳态条件下的最大值为110°C/W
特征
•TrenchFET®功率MOSFET
•100%Rg和UIS测试
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